کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1672746 | 1008938 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Distributions of barrier heights, difference of effective contact potential, and local values of flat-band voltage in Al–SiO2–Si and poly–Si–SiO2–Si structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Distributions of barrier heights, difference of effective contact potential, and local values of flat-band voltage in Al–SiO2–Si and poly–Si–SiO2–Si structures Distributions of barrier heights, difference of effective contact potential, and local values of flat-band voltage in Al–SiO2–Si and poly–Si–SiO2–Si structures](/preview/png/1672746.png)
چکیده انگلیسی
It was previously shown that the effective contact potential difference (φMS) in Al–SiO2–Si metal-oxide-semiconductor structures has a “dome-like” shape of distribution over the Al-gate area. In this paper we show that this shape is due to the distribution of the barrier height at the Al–SiO2 interface and that the characteristic shape of φMS(x,y) distribution is reflected in a similar shape of the flat-band voltage VFB(x,y)distribution over the gate area. As opposed to the Al–SiO2–Si system, we find that in poly–Si–SiO2–Si structures both the φMS(x,y) and the VFB(x,y) distributions are practically uniform.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 12, 30 April 2008, Pages 4184–4189
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 12, 30 April 2008, Pages 4184–4189
نویسندگان
H.M. Przewlocki, A. Kudla, K. Piskorski, D. Brzezinska,