کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1673065 | 1008943 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of GaN etching damage by capacitively coupled RF Ar plasma exposure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Analysis of GaN etching damage by capacitively coupled RF Ar plasma exposure Analysis of GaN etching damage by capacitively coupled RF Ar plasma exposure](/preview/png/1673065.png)
چکیده انگلیسی
GaN etching damage by capacitively-coupled RF Ar plasma exposure is significantly dependent on gas pressure and exposure time. At a low gas pressure (10 mTorr), the N/Ga ratio decreases by the physical etching effect with increasing exposure time, while the GaN surface morphology is smooth. At a high gas pressure (50 mTorr), there are other effects such as UV radiation, by which the GaN surface morphology becomes rough as the exposure time increases from ∼ 60 min.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 11, 1 April 2008, Pages 3478–3481
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 11, 1 April 2008, Pages 3478–3481
نویسندگان
Retsuo Kawakami, Takeshi Inaoka, Shingo Minamoto, Yasuyuki Kikuhara,