کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1673613 | 1518085 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nickel silicide nanocrystals embedded in SiO2 and HfO2 for nonvolatile memory application
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Nickel silicide nanocrystals embedded in SiO2 and HfO2 for nonvolatile memory application Nickel silicide nanocrystals embedded in SiO2 and HfO2 for nonvolatile memory application](/preview/png/1673613.png)
چکیده انگلیسی
In this study, a nonvolatile memory device with NiSi2 nanocrystals embedded in the SiO2 and HfO2 layer has been fabricated. A significant memory effect is observed during the characterization of the electrical properties. When a low operating voltage, 4 V, is applied, a significant threshold voltage shift of 1.3 V, is observed. The processing of this structure is compatible with the current manufacturing technology of semiconductor industry.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issues 2–4, 3 December 2007, Pages 360–363
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issues 2–4, 3 December 2007, Pages 360–363
نویسندگان
F.M. Yang, T.C. Chang, Po-Tsun Liu, Y.H Yeh, Y.C. Yu, J.Y. Lin, S.M. Sze, J.C. Lou,