کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1673815 | 1008953 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Properties of nanocrystalline SiC:Ge:H alloy deposited by hot-wire chemical vapor deposition using Organosilane and Organogermane
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Properties of nanocrystalline SiC:Ge:H alloy deposited by hot-wire chemical vapor deposition using Organosilane and Organogermane Properties of nanocrystalline SiC:Ge:H alloy deposited by hot-wire chemical vapor deposition using Organosilane and Organogermane](/preview/png/1673815.png)
چکیده انگلیسی
Nanocrystalline hydrogenated silicon carbide: germanium alloy (nc-SiC:Ge:H) films have been deposited by hot-wire chemical vapor deposition at a low substrate temperature of about 300 °C. Germanium incorporation into the films and film structure based on cubic silicon carbide were confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray diffraction. Optical absorption spectra of the films with a germanium mole fraction of about 2% shifted to lower energies by about 0.2 eV compared with that of nanocrystalline cubic silicon carbide films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 5, 15 January 2008, Pages 670–673
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 5, 15 January 2008, Pages 670–673
نویسندگان
Shinsuke Miyajima, Yasutoshi Yashiki, Akira Yamada, Makoto Konagai,