کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1673884 | 1008954 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An experimental approach to form selective single-crystalline silicon on nonalkaline glass using self-aligned heat reservoirs and continuous-wave green-laser lateral crystallization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: An experimental approach to form selective single-crystalline silicon on nonalkaline glass using self-aligned heat reservoirs and continuous-wave green-laser lateral crystallization An experimental approach to form selective single-crystalline silicon on nonalkaline glass using self-aligned heat reservoirs and continuous-wave green-laser lateral crystallization](/preview/png/1673884.png)
چکیده انگلیسی
The development of single-crystalline silicon (Si) on a glass substrate is an important challenge for its application to a system on glass and highly effective solar cell. This paper proposes an approach to form selective single-crystalline Si on non-alkaline glass using self-aligned heat reservoirs and continuous-wave green-laser lateral crystallization. Single-crystalline Si is selectively formed in a predetermined region on a non-alkaline glass substrate with dimensions of 7 Ã 10 μm2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 21, 1 September 2008, Pages 7350-7353
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 21, 1 September 2008, Pages 7350-7353
نویسندگان
Akito Hara,