کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1674158 | 1008959 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reduction of crystallization temperature of the Aurivillius phase in Nd-doped SrBi2Ta2O9 thin films via substrate bias
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Nd-doped SrBi2Ta2O9 films were sputtered on Pt/Ta/SiO2/Si substrates under various substrate biases. The radio frequency bias results in the reduction of the Aurivillius phase crystallization temperature. At 48 W, the crystallization temperature of film is lowered at a magnitude of about 80 °C. When the bias further increases, Aurivillius phase formation is suppressed due to too deficient Bi in film. The film deposited at 48 W after annealing at 670 °C shows ferroelectric characteristics. The remnant polarization of the films increases as the annealing temperature is increased.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 8, 27 February 2009, Pages 2633–2637
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 8, 27 February 2009, Pages 2633–2637
نویسندگان
Yibin Li, Sam Zhang, Thirumany Sritharan, Xiaodong He, Weidong Fei,