کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1674438 | 1008964 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Polymorphous silicon thin films deposited at high rate: Transport properties and density of states
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Hydrogenated polymorphous silicon (pm-Si:H) films were fabricated by conventional RF plasma enhanced chemical vapour deposition at high deposition rate (~ 8 Å/s). The details of DOS distribution in the whole mobility gap and transport properties of both types of carriers were studied using a set of complementary techniques before and after light-soaking. The results show that these properties are similar to those of standard a-Si:H, or even can exceed them, at least for diffusion length in both states before and after light-soaking.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 20, 30 August 2008, Pages 6888–6891
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 20, 30 August 2008, Pages 6888–6891
نویسندگان
Y.M. Soro, A. Abramov, M.E. Gueunier-Farret, E.V. Johnson, C. Longeaud, P. Roca i Cabarrocas, J.P. Kleider,