کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1674735 | 1008969 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Pentacene thin-film transistors and inverters with plasma-enhanced atomic-layer-deposited Al2O3 gate dielectric
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The performances of pentacene thin-film transistor with plasma-enhanced atomic-layer-deposited (PEALD) 150 nm thick Al2O3 dielectric are reported. Saturation mobility of 0.38 cm2/V s, threshold voltage of 1 V, subthreshold swing of 0.6 V/decade, and on/off current ratio of about 108 have been obtained. Both depletion and enhancement mode inverter have been realized with the change of treatment method of hexamethyldisilazane on PEALD Al2O3 gate dielectric. Full swing depletion mode inverter has been demonstrated at input voltages ranging from 5 V to − 5 V at supply voltage of − 5 V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 5, 22 January 2007, Pages 3132–3137
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 5, 22 January 2007, Pages 3132–3137
نویسندگان
Jae Bon Koo, Jung Wook Lim, Seong Hyun Kim, Sun Jin Yun, Chan Hoe Ku, Sang Chul Lim, Jung Hun Lee,