کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1675041 1008973 2006 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Morphology and electronic structure of thin 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride layers on Si(001)
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Morphology and electronic structure of thin 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride layers on Si(001)
چکیده انگلیسی
The growth of 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride on Si(001) was examined in the light of varying flux of impinging molecules. Using atomic force microscopy and synchrotron radiation photoelectron spectroscopy Vollmer-Weber growth mode was observed on a wide range of growth rates. The island size initially decreases rapidly with growth rate, for the low growth rate reaches a minimum, and then gradually increases. Polarization dependent photoemission indicates that the orientation of the molecules within the islands remains flat on the substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 4, 5 December 2006, Pages 1424-1428
نویسندگان
, , ,