کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1675090 | 1008973 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Lateral epitaxial overgrowth of GaN films on patterned sapphire substrates fabricated by wet chemical etching
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Lateral epitaxial overgrowth of GaN films on patterned sapphire substrates fabricated by wet chemical etching Lateral epitaxial overgrowth of GaN films on patterned sapphire substrates fabricated by wet chemical etching](/preview/png/1675090.png)
چکیده انگلیسی
A promising technique of lateral epitaxial overgrowth, namely CantiBridge epitaxy, is developed and demonstrated in order to reduce the threading dislocation density in GaN films. Using metalorganic chemical vapor deposition, the GaN films are grown on patterned sapphire fabricated by wet chemical etching, instead of traditional dry etching. The image of atomic force microscopy shows that the threading dislocations in CantiBridge-epitaxy GaN are reduced sharply, which makes a promising to realize the high-performance GaN-based optoelectronic devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 4, 5 December 2006, Pages 1727–1730
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 4, 5 December 2006, Pages 1727–1730
نویسندگان
Jing Wang, L.W. Guo, H.Q. Jia, Z.G. Xing, Y. Wang, H. Chen, J.M. Zhou,