کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1675349 | 1518096 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Parameter extraction using novel phenomena in nano-MOSFETs with ultra-thin (EOT = 0.46–1.93 nm) high-K gate dielectrics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Parameter extraction using novel phenomena in nano-MOSFETs with ultra-thin (EOT = 0.46–1.93 nm) high-K gate dielectrics Parameter extraction using novel phenomena in nano-MOSFETs with ultra-thin (EOT = 0.46–1.93 nm) high-K gate dielectrics](/preview/png/1675349.png)
چکیده انگلیسی
Novel features of and a new technique for parameter extraction are outlined here for MOS devices with ultra-thin high-K MOS devices. These parameters include the channel doping density, the doping density profile, and the flat-band voltage—all very important for the high-K technology, besides the surface potential, the gate dielectric capacitance, and the accumulation surface potential quotient. The reliability of the new technique was confirmed by comparison with the results from other techniques. The experimental results indicate diffusion of metal impurities into the channel region during the device processing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 504, Issues 1–2, 10 May 2006, Pages 178–182
Journal: Thin Solid Films - Volume 504, Issues 1–2, 10 May 2006, Pages 178–182
نویسندگان
Samares Kar,