کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1675364 | 1518096 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of spin-on-glass very-low-k polymethylsiloxane with copper metallization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Cu diffusion is one major problem that inhibits low-k dielectric to be integrated with existing fabrication technology effectively. This paper demonstrates the effects of surface modification towards polymethylsiloxane low-k dielectric (LKD 5109) from JSR Micro using gas mixture of H2Â +Â N2 plasma in order to improve Cu diffusion barrier. C-V plots indirectly indicated that plasma treatment reduces Cu+ ions penetration during Cu deposition using magnetron sputtering. XPS confirmed that short duration (10 to 30 s) of H2Â +Â N2 plasma treatment could cause surface densification of LKD 5109 low-k thin film through formation of N-C bonds. However, the negative effect of plasma treatment is the increment of dielectric constant (k) due to possible surface densification.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 504, Issues 1â2, 10 May 2006, Pages 243-247
Journal: Thin Solid Films - Volume 504, Issues 1â2, 10 May 2006, Pages 243-247
نویسندگان
K.C. Aw, N.T. Salim, W. Gao, Z. Li,