کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1675381 | 1518096 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal fatigue as a possible failure mechanism in copper interconnects
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Microelectronic devices experience thermal cycles with amplitudes as large as 100 K during normal use. Differences in the thermal expansion coefficients of the different materials comprising the device lead to strain changes during thermal cycling. We demonstrate here that cyclic thermal strains lead to surface damage formation and failure in copper lines during the application of an alternating electrical current. The presence of soft coatings like photoresist on the Cu lines does nothing to inhibit damage formation in the copper lines. Thus, thermal fatigue of Cu interconnects may be a serious reliability threat to devices containing soft interlevel dielectric materials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 504, Issues 1–2, 10 May 2006, Pages 321–324
Journal: Thin Solid Films - Volume 504, Issues 1–2, 10 May 2006, Pages 321–324
نویسندگان
Young-Bae Park, Reiner Mönig, Cynthia A. Volkert,