کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1675599 | 1008982 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of AgGaSe2 thin films grown by post annealing method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
AgGaSe2 thin films were prepared on quartz glass by using an evaporation method at room temperature. Some of the samples were annealed at temperatures from 100 to 600 °C in a nitrogen atmosphere for 10 min. X-ray diffraction showed that single phase AgGaSe2 could be grown at an annealing temperature of 600 °C. From transmittance and reflectance spectra, an absorption coefficient of 105 cm− 1 around bandgap region and bandgap energy of 1.787 eV could be obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 2, 25 October 2006, Pages 505–508
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 2, 25 October 2006, Pages 505–508
نویسندگان
H. Matsuo, K. Yoshino, T. Ikari,