کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676255 | 1518095 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transistor device for multi-bit non-volatile storage
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We propose a transistor model that incorporates multiple storage elements within a single transistor device. This device is thus smaller in size compared to the magnetoresistive random access memory (MRAM) with the same number of storage bits. The device model can function in both the current as well as voltage detection mode. Simulations were carried out at higher temperature, taking into consideration the spread of electron density above the Fermi level. We found that linear detection of conductance variation with the stored binary value can be achieved for a 3-bit storage device up to a temperature of 350 K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 505, Issues 1â2, 18 May 2006, Pages 60-63
Journal: Thin Solid Films - Volume 505, Issues 1â2, 18 May 2006, Pages 60-63
نویسندگان
S.G. Tan, M.B.A. Jalil, Vimal Kumar, Thomas Liew, K.L. Teo, T.C. Chong,