کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676329 | 1008995 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influences of atomic hydrogen on porous low-k dielectric for 45-nm node
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Atomic hydrogen generated by a heated tungsten catalyzer has been investigated in terms of the damage-less ash and restoration of damaged low-k dielectric. No difference of damaged thickness of low-k dielectric between before and after the ash by HF dip using patterned porous methyl silsesquioxane (MSQ) film was found. Moreover atomic hydrogen exposure slightly reduced capacitance of the micro-structured capacitor with the Cu wire and the CVD porous low-k dielectric.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 12, 23 April 2007, Pages 5031–5034
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 12, 23 April 2007, Pages 5031–5034
نویسندگان
K. Tomioka, E. Soda, N. Kobayashi, M. Takata, S. Uda, K. Ogushi, Y. Yuba, Y. Akasaka,