کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676451 | 1008997 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Argon ion beam and electron beam-induced damage in Cu(In,Ga)Se2 thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Argon ion beam and electron beam-induced damage in Cu(In,Ga)Se2 thin films Argon ion beam and electron beam-induced damage in Cu(In,Ga)Se2 thin films](/preview/png/1676451.png)
چکیده انگلیسی
Ar ion beam and electron beam-induced damages in Cu(In,Ga)Se2 thin films are investigated by transmission electron microscopy and X-ray energy-dispersive spectroscopy. We find that a high-energy Ar ion beam can cause severe damage in Cu(In,Ga)Se2 surface regions by preferentially depleting Se and In. The depletion can occur with an Ar ion beam at energy as low as 0.5 keV. High-energy electron beams also cause damage in Cu(In,Ga)Se2 thin films by preferentially depleting In and Ga. Our results imply that special care must be taken for measurements involving surface treatments using high-energy Ar ion beams or electron beams.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 11, 9 April 2007, Pages 4681–4685
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 11, 9 April 2007, Pages 4681–4685
نویسندگان
Yanfa Yan, K.M. Jones, R. Noufi, M.M. Al-Jassim,