کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676853 | 1518093 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of microcrystalline silicon and SiNx films by electron-beam-induced-chemical vapor deposition at ultra low temperature
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We synthesized silicon films (hydrogenated microcrystalline silicon in hydrogenated amorphous silicon) and silicon nitride films by electron-beam-induced-chemical vapor deposition combined with low-temperature H tunneling reactions on cooled substrates, which adsorb source gases (SiH4 or Si2H6). The photoconductivity of the silicon film was 0.7 × 10− 5 Ω− 1 cm− 1 and the dark conductivity was 3.3 × 10− 5 Ω− 1 cm− 1. The dielectric constant of the silicon nitride film was estimated to be 6.5–7.0.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1–2, 5 June 2006, Pages 61–64
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1–2, 5 June 2006, Pages 61–64
نویسندگان
Tetsuya Sato, Minoru Mitsui, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Yutaka Aoki, Shouji Sato, Chiharu Miyata,