کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676855 | 1518093 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of Mg2Si1−xGex layers on silicon–germanium substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Mg2Si1−xGex layers were grown on silicon–germanium substrates by heat treatment of the substrates in Mg vapor. The layers were grown by an interdiffusion process between the deposited Mg atoms and the substrates. It has been demonstrated that smooth and continuous layers can be grown with an abrupt layer/substrate interface, and no Kirkendall void is formed. It was found that the Ge contents of the grown layers almost agree with those of the substrates used without any phase separation and/or additional compositional deviation caused by the thermal treatment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1–2, 5 June 2006, Pages 70–73
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1–2, 5 June 2006, Pages 70–73
نویسندگان
Yusuke Mizuyoshi, Ryuji Yamada, Takuya Ohishi, Yoshiro Saito, Tadanobu Koyama, Yasuhiro Hayakawa, Takashi Matsuyama, Hirokazu Tatsuoka,