کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676954 | 1518094 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of low dielectric carbon-doped silicon oxide films prepared by PECVD using methyltrimethoxysilane precursor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Carbon-doped silicon oxide (SiOC(-H)) films with low dielectric constant were deposited on a p-type Si(100) substrate using inductively coupled plasma chemical vapor deposition with methyltrimethoxysilane (MTMS:CH3Si(OCH3)3) precursor and oxygen gases. Fourier transform infrared spectroscopy was used to investigate the bonding configurations and atomic concentrations within the films. The dielectric constant of SiOC(-H) composite film depends on the relative carbon concentration and the content of the ring link mode in SiOC(-H) bonding structure. The lowest dielectric constant of an annealed film at 400 °C was 2.25, which was deposited with [MTMS / (MTMS + O2)] flow rate ratio of 100%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volumes 506–507, 26 May 2006, Pages 50–54
Journal: Thin Solid Films - Volumes 506–507, 26 May 2006, Pages 50–54
نویسندگان
Chang Sil Yang, Young Hun Yu, Kwang-Man Lee, Heon-Ju Lee, Chi Kyu Choi,