کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1677118 | 1518102 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Control and improvement of crystalline cracking from GaN thin films grown on Si by metalorganic chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A series of GaN thin films were grown on Si substrate under different conditions using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and characterized by Nomarski microscopy (NM), optical reflectance (OR), high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman scattering (RS) and photoluminescence (PL). NM showed different patterns for GaN/Si grown under different growth and source flow parameters. XRD, RS and PL measurements confirmed their wurtzite crystalline GaN structures, and the corresponding line shape analyses revealed their difference corresponding to the NM observations. The control and improvement of the crystalline cracking in GaN/Si are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 498, Issues 1â2, 1 March 2006, Pages 108-112
Journal: Thin Solid Films - Volume 498, Issues 1â2, 1 March 2006, Pages 108-112
نویسندگان
J.W. Yu, H.C. Lin, Z.C. Feng, L.S. Wang, S. Tripathy, S.J. Chua,