کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5465728 | 1517970 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characteristics of silicon oxynitride films grown by using neutral-beams and inductively coupled plasma
ترجمه فارسی عنوان
خصوصیات سیلیکون های اکسینیترویدهایی که با استفاده از پرتوهای خنثی و پلاسمای مرتبط با القاء شده رشد می کنند
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
سیلیکون اکسینیتوریدها، پرتو نوری، پوسیدگی بخار شیمیایی، رسوب درجه حرارت اتاق، آسیب پلاسما، خواص الکتریکی، طیف سنجی جرمی ثانویه،
Plasma damage - آسیب پلاسماSilicon oxynitride - اکسین نیترید سیلیکونElectrical properties - خواص الکتریکیRoom temperature deposition - رسوب درجه حرارت اتاقsecondary ion mass spectrometry - طیف سنجی جرم یونی ثانویه یا طیف نگاری جرم یونی ثانویهplasma-enhanced chemical vapor deposition - مخلوط بخار شیمیایی با افزایش پلاسماNeutral beam - پرتو نوری
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
The characteristics of silicon oxynitride (SiON) films grown using neutral-beam and typical plasma-enhanced chemical vapor deposition methods are compared. Neutral-beam and plasma oxynitridation processes were performed using a nitrogen neutral beam at room temperature and a nitrogen plasma at 400 °C, respectively, using the same deposition system. The neutral beam was generated via the surface neutralization of the ions produced by the inductively coupled plasma. The physical and electrical properties were measured using metal-insulatorâsilicon structures. The plasma SiON films showed significant plasma-induced damage, while we demonstrate that the neutral beam method is suitable for growing SiON films at room temperature without plasma-induced damage or a high thermal budget.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 642, 30 November 2017, Pages 281-284
Journal: Thin Solid Films - Volume 642, 30 November 2017, Pages 281-284
نویسندگان
Jongsik Kim, Dae Chul Kim, Young-Woo Kim,