کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5466007 | 1517976 | 2017 | 20 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High energy storage responses in all-oxide epitaxial relaxor ferroelectric thin films with the coexistence of relaxor and antiferroelectric-like behaviors
ترجمه فارسی عنوان
پاسخهای ذخیره انرژی بالا در فیلمهای نازک فرولیفریک الکتریکی اپتیکسیال با همزیستی رفتارهای آرام و ضدضرری مانند
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
فراورده های نسوز رامکسور، رشد اپیتاشیال، گرایش، ذخیره انرژی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Relaxor ferroelectric Pb0.9La0.1(Zr0.52Ti0.48)O3 (PLZT) thin films have been epitaxially grown via pulsed laser deposition on SrRuO3/SrTiO3 single crystal with different orientations. The high recoverable energy-storage density and energy-storage efficiency in the epitaxial PLZT thin films are mainly caused by the coexistence of relaxor and antiferroelectric-like behaviors. The recoverable energy-storage density of 12.03, 12.51 and 12.74Â J/cm3 and energy-storage efficiency of 86.50, 88.14 and 88.44%, respectively, for the PLZT(001), PLZT(011) and PLZT(111) thin films measured at 1000Â kV/cm. The high energy density and high efficiency indicate that the relaxor epitaxial PLZT(111) thin film is a promising candidate for high pulsed power capacitors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 636, 31 August 2017, Pages 188-192
Journal: Thin Solid Films - Volume 636, 31 August 2017, Pages 188-192
نویسندگان
Chi T.Q. Nguyen, Minh D. Nguyen, Hien T. Vu, Evert P. Houwman, Hung N. Vu, Guus Rijnders,