کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5466075 | 1517976 | 2017 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optical properties of plasma-enhanced chemical vapor deposited SiCxNy films by using silazane precursors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
SiCxNy films deposited using MTSCP involving SiC3N rings formed SiN and Si(CH2)3 crosslinked structures at Ts â¤Â 100 °C, and were then changed to predominantly SiCH2NSi crosslinked structures at Ts > 300 °C, leading to a wide range of optical band gap from 5.2 to 3.7 eV. Compared to DVTMDS-deposited SiCxNy films, their relatively higher percentage of SiCN structure accounted for the lower optical band gap and reduced transmission. DVTMDS with di-vinyl groups readily formed a Si(CH2)2 bridge in SiCxNy films Ts â¤Â 200 °C, resulting in excellent optical transmittance. The transmittance in the visible wavelengths of 400 °C-deposited SiCxNy film using DVTMDS still showed 85%. Also, tunable refractive index between 1.44 and 2.10 were obtained for SiCxNy films deposited at Ts â¤Â 400 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 636, 31 August 2017, Pages 671-679
Journal: Thin Solid Films - Volume 636, 31 August 2017, Pages 671-679
نویسندگان
Wei-Yuan Chang, Chieh-Yu Chang, Jihperng Leu,