کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5466257 | 1517985 | 2017 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomic layer deposition of tantalum oxide thin films using the precursor tert-butylimido-tris-ethylmethylamido-tantalum and water: Process characteristics and film properties
ترجمه فارسی عنوان
رسوب لایه اتمی فیلمهای نازک اکسید تانتالیم با استفاده از تربت بوتیلیومیدو تریستالتیل متیل آمیدتواتمال و آب: مشخصات فرایند و خواص فیلم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Post-deposition annealing at 800 °C in nitrogen resulted in the crystallization of the Ta2O5 films, which is also accompanied by an increase in film density and refractive index. Moreover, the crystallized films exhibit an enhanced dielectric constant of 48 ± 2. Electrical measurements revealed the growth of an interfacial layer with an equivalent oxide thickness of around 2.4 nm due to the 800 °C annealing. While this interfacial layer degrades the effective permittivity of the dielectric (e.g. 20.5 ± 0.5 for a 20 nm Ta2O5 film), it also causes a reduction of the leakage currents by more than three orders of magnitude (e.g. to 1·10â 7 A/cm2 for a 20 nm Ta2O5 film).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 627, 1 April 2017, Pages 94-105
Journal: Thin Solid Films - Volume 627, 1 April 2017, Pages 94-105
نویسندگان
Thomas Henke, Martin Knaut, Marion Geidel, Felix Winkler, Matthias Albert, Johann W. Bartha,