کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7941936 | 1513202 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Extended defect study in Si: EBIC versus LBIC
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A comparative study of multicrystalline Si and plastically deformed single crystalline Si by the electron (EBIC) and laser beam induced current (LBIC) methods has been carried out. It is shown that the LBIC contrast of two-dimensional defects in crystals with large diffusion length can be a few times higher than that in the EBIC method. Thus, in recent Si structures the LBIC method allows to reveal grain boundaries with the lower recombination velocity than the EBIC on. The advantages of LBIC for the dislocation trail study in Si and for backside metallization effects in solar cells are demonstrated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 99, November 2016, Pages 202-207
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 99, November 2016, Pages 202-207
نویسندگان
V.I. Orlov, E.B. Yakimov,