کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8032600 | 1517955 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Leakage current suppression in spatially controlled Si-doped ZrO2 for capacitors using atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this study, we investigated the electronic structure of Si-doped ZrO2 thin films. We used atomic layer deposition to deposit Si-doped ZrO2 thin films. This method has many advantages such as excellent step coverage, low process temperature, and ultrathin growth. We found that proper Si doping, which affects Si distribution in the ZrO2 and therefore its electronic band structure, is necessary for leakage current reduction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 657, 1 July 2018, Pages 1-7
Journal: Thin Solid Films - Volume 657, 1 July 2018, Pages 1-7
نویسندگان
Kunyoung Lee, Woochool Jang, Hyunjung Kim, Heewoo Lim, Bumsik Kim, Hyungtak Seo, Hyeongtag Jeon,