کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8033165 | 1517967 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low-temperature ultrasonic spray deposited aluminum doped zinc oxide film and its application in flexible Metal-Insulator-Semiconductor diodes
ترجمه فارسی عنوان
فیلم اسپری زنگ آلومینیوم با استفاده از اسپری سونوگرافی با دمای پایین و کاربرد آن در دیودهای فلزی انعقاد نیمه هادی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
اکسید روی آلومینیوم، اسپین در شیشه، الکترونیک انعطاف پذیر، فرآیند حل،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
In this work, the fabrication and characterization of fully solution-processed flexible Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) diodes are presented. The MIS structure was fabricated using aluminum doped zinc oxide and spin-on glass as semiconductor and insulator, respectively. The maximum temperature used was 200 °C. The electrical characteristics of the flexible devices show a good agreement with the typical characteristics of a semiconductor diode even while bent to 5 mm tensile radius.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 645, 1 January 2018, Pages 278-281
Journal: Thin Solid Films - Volume 645, 1 January 2018, Pages 278-281
نویسندگان
Miguel A. Dominguez, Jose A. Luna-Lopez, Sonia Ceron,