کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8033223 | 1517967 | 2018 | 24 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of heavily doped n+-Ge layers using metal-organic chemical vapor deposition with in situ phosphorus doping
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report the epitaxy of n-Ge layer with in situ phosphorus (P)-doping using metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method with tertiary-butyl-germane and tri-ethyl-phosphine precursors. The crystalline and electrical properties of n-Ge epitaxial layers have been investigated using X-ray diffraction, atomic force microscopy, and Hall effect measurements in detail. In situ P-doping with MOCVD demonstrates the incorporation of P in Ge as high as 1 Ã 1020 cmâ3. The electron concentration in P-doped Ge epitaxial layers are achieved as high as 1.7 Ã 1019, 1.8 Ã 1019, and 2.2 Ã 1018 cmâ3 at growth temperatures of 400, 350, 320 °C, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 645, 1 January 2018, Pages 57-63
Journal: Thin Solid Films - Volume 645, 1 January 2018, Pages 57-63
نویسندگان
Shinichi Ike, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima,