کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8033344 | 1517969 | 2017 | 23 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ferroelectric memory resistive behavior in BaTiO3/Nb doped SrTiO3 heterojunctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present the memristive (memory resistive) behavior in two different pulsed laser deposited BaTiO3/Nb doped SrTiO3 junctions. The first junction is controlled by space charge limited current (SCLC) conduction while the post-annealed junction is dominated by Schottky emission. The latter junction displays better ferroelectric and memristive properties (with an order of magnitude higher OFF/ON resistance ratio) as compared to the former junction with SCLC conduction. We attribute the improved behavior of the latter junction to the reduction of oxygen vacancies due to post-annealing of the film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 643, 1 December 2017, Pages 60-64
Journal: Thin Solid Films - Volume 643, 1 December 2017, Pages 60-64
نویسندگان
Pooja Singh, P.K. Rout, Manju Singh, R.K. Rakshit, Anjana Dogra,