کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8033739 | 1518006 | 2016 | 26 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optical and electrical characterization of crystalline silicon films formed by rapid thermal annealing of amorphous silicon
ترجمه فارسی عنوان
ویژگی های نوری و الکتریکی فیلم های سیلیکون بلوری که توسط آنیل گرمایی سریع سیلیکون آمورف تشکیل شده اند
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
آنیلینگ گرم سریع سیلیکون آمورف، بازپرداخت، سلول های خورشیدی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
The effect of rapid thermal annealing (RTA) on n-type hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films deposited on single-crystal silicon (c-Si) wafers was studied by electrical and optical methods. Deposition of a-Si:H films by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) was optimized for high deposition rate and maximum film uniformity. RTA processed films were characterized by spreading resistance profiling (SRP), Hall effect, spectroscopic ellipsometry, defect etching, and transmission electron microscopy (TEM). It was found that the films processed between 600 °C and 1000 °C were highly crystalline and that the defect density in the films diminished with increasing thermal budget. Junctions formed by the RTA processed n-type a-Si:H films on p-type c-Si wafers were tested for device applicability. It was established that these films can be used as the emitter layer in n+p photovoltaic (PV) devices with over 14% conversion efficiency.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 603, 31 March 2016, Pages 212-217
Journal: Thin Solid Films - Volume 603, 31 March 2016, Pages 212-217
نویسندگان
Christopher Baldus-Jeursen, Roohollah Samadzadeh Tarighat, Siva Sivoththaman,