کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8033788 | 1518006 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transport property improvements of amorphous In-Zn-O transistors with printed Cu contacts via rapid temperature annealing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The device performance of amorphous In-Zn-O (a-IZO) thin-film transistors (TFTs) with printed Cu contacts was significantly improved by the insertion of a diffusion barrier Ta layer and rapid thermal process (RTP) annealing. Furnace-annealed a-IZO TFTs with Cu/Ta contacts exhibited mobility values of 21.3Â cm2/Vs, subthreshold gate swing (SS) values of 1.9 V/decade, and ION/OFF of ~Â 106. In contrast, the SS, mobility, and ION/OFF ratio of RTP-annealed a-IZO TFTs with Cu/Ta contacts were 30.6Â cm2/Vs, 0.68Â V/decade, and 3Â ÃÂ 107, respectively. We attributed the performance improvement of devices with Cu/Ta contacts to the suppression of Cu in-diffusion within the a-IZO channel due to the rapid heating associated with RTP annealing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 603, 31 March 2016, Pages 268-271
Journal: Thin Solid Films - Volume 603, 31 March 2016, Pages 268-271
نویسندگان
Ju Yeon Won, Young Hun Han, Hyun Ju Seol, Ki June Lee, Rino Choi, Jae Kyeong Jeong,