کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8034206 | 1518022 | 2015 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Silicon nitride and intrinsic amorphous silicon double antireflection coatings for thin-film solar cells on foreign substrates
ترجمه فارسی عنوان
نیترید سیلیکون و پوشش ضد انفجار دوبل سیلیکون آمورف موجود در سلولهای خورشیدی نازک روی بسترهای خارجی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Hydrogenated intrinsic amorphous silicon (a-Si:H) was investigated as a surface passivation method for crystalline silicon thin film solar cells on graphite substrates. The results of the experiments, including quantum efficiency and current density-voltage measurements, show improvements in cell performance. This improvement is due to surface passivation by an a-Si:H(i) layer, which increases the open circuit voltage and the fill factor. In comparison with our previous work, we have achieved an increase of 0.6% absolute cell efficiency for a 40 μm thick 4 cm2 aperture area on the graphite substrate. The optical properties of the SiNx/a-Si:H(i) stack were studied using spectroscopic ellipsometer techniques. Scanning transmission electron microscopy inside a scanning electron microscope was applied to characterize the cross section of the SiNx/a-Si:H(i) stack using focus ion beam preparation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 583, 29 May 2015, Pages 25-33
Journal: Thin Solid Films - Volume 583, 29 May 2015, Pages 25-33
نویسندگان
Da Li, Thomas Kunz, Nadine Wolf, Jan Philipp Liebig, Stephan Wittmann, Taimoor Ahmad, Maik T. Hessmann, Richard Auer, Mathias Göken, Christoph J. Brabec,