کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8034589 | 1518026 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of substrate potential on a-Si:H passivation of Si foils bonded to glass
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In the future solar devices will be manufactured onto thin mono-crystalline silicon wafers (foils) potentially bonded to substrate carriers. In this study, the influence of the substrate carrier potential (grounded or floating) on the amorphous silicon a-Si:H surface passivation of the bonded foil is discussed for the cases of conductive and insulating substrate carriers. A conductive carrier leads to an increase in deposition rate and ion bombardment energy, which is detrimental for sample lifetime. An insulating carrier, e.g., a glass substrate, inverts the trend and improves the a-Si:H surface passivation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 579, 31 March 2015, Pages 9-13
Journal: Thin Solid Films - Volume 579, 31 March 2015, Pages 9-13
نویسندگان
S.N. Granata, T. Bearda, M.L. Xu, Y. Abdulraheem, I. Gordon, R. Mertens, J. Poortmans,