کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8034628 | 1518027 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Half-sandwich cobalt complexes in the metal-organic chemical vapor deposition process
ترجمه فارسی عنوان
مجتمع های نیمه ساندویچ کبالت در فرایند رسوب بخار شیمیایی فلزات آلی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
رسوبات بخار شیمیایی، کبالت، فسفیت، فشار بخار، فیلم های نازک تشکیل فیلم،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
A series of cobalt half-sandwich complexes of type [Co(η5-C5H5)(L)(Lâ²)] (1: L, Lâ²Â = 1,5-hexadiene; 2: L = P(OEt)3, Lâ²Â = H2CCHSiMe3; 3: L = Lâ²Â = P(OEt)3) has been studied regarding their physical properties such as the vapor pressure, decomposition temperature and applicability within the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) process, with a focus of the influence of the phosphite ligands. It could be shown that an increasing number of P(OEt)3 ligands increases the vapor pressure and thermal stability of the respective organometallic compound. Complex 3 appeared to be a promising MOCVD precursor with a high vapor pressure and hence was deposited onto Si/SiO2 (100 nm) substrates. The resulting reflective layer is closed, dense and homogeneous, with a slightly granulated surface morphology. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) studies demonstrated the formation of metallic cobalt, cobalt phosphate, cobalt oxide and cobalt carbide.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 578, 2 March 2015, Pages 180-184
Journal: Thin Solid Films - Volume 578, 2 March 2015, Pages 180-184
نویسندگان
Colin Georgi, Marko Hapke, Indre Thiel, Alexander Hildebrandt, Thomas Waechtler, Stefan E. Schulz, Heinrich Lang,