کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8034804 | 1518031 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Direct growth of heteroepitaxial CuInSe2 on GaN (0001) by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Near stoichiometric chalcopyrite Cu-rich and In-rich CuInSe2 thin films have been simultaneously grown on GaN (0001) by molecular beam epitaxy. Microstructure analysis of the Cu-rich and In-rich CuInSe2 showed that the rotation twin was formed at the interface of CuInSe2/GaN, and no interface reaction occurs between CuInSe2 and GaN. Our experimental results show that GaN is stable for the epitaxial growth of CuInSe2 thin film, which exhibits a promising potential for optoelectronic applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 574, 1 January 2015, Pages 132-135
Journal: Thin Solid Films - Volume 574, 1 January 2015, Pages 132-135
نویسندگان
Cheng-Hung Shih, Ikai Lo, Shuo-Ting You, Cheng-Da Tsai, Bae-Heng Tseng, Yun-Feng Chen, Chiao-Hsin Chen, Gary Z.L. Hsu,