کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8035109 | 1518048 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of kesterite Cu2ZnSnS4 on a Si(001) substrate by thermal co-evaporation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Using thermal co-evaporation we have prepared epitaxial Cu2ZnSnS4 (CZTS) films on Si(001) substrates. A substrate temperature as high as 370 °C and proper substrate cleaning (HF-dip followed by thermal desorption of surface hydrogens) are found to be necessary for the epitaxial growth. Detailed transmission electron microscopy measurements and X-ray diffraction studies are used to reveal the orientation relation of the CZTS films with the underlying silicon substrate, and the formation of defects within the CZTS layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 556, 1 April 2014, Pages 9-12
Journal: Thin Solid Films - Volume 556, 1 April 2014, Pages 9-12
نویسندگان
Byungha Shin, Yu Zhu, Talia Gershon, Nestor A. Bojarczuk, Supratik Guha,