کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8035109 1518048 2014 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of kesterite Cu2ZnSnS4 on a Si(001) substrate by thermal co-evaporation
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Epitaxial growth of kesterite Cu2ZnSnS4 on a Si(001) substrate by thermal co-evaporation
چکیده انگلیسی
Using thermal co-evaporation we have prepared epitaxial Cu2ZnSnS4 (CZTS) films on Si(001) substrates. A substrate temperature as high as 370 °C and proper substrate cleaning (HF-dip followed by thermal desorption of surface hydrogens) are found to be necessary for the epitaxial growth. Detailed transmission electron microscopy measurements and X-ray diffraction studies are used to reveal the orientation relation of the CZTS films with the underlying silicon substrate, and the formation of defects within the CZTS layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 556, 1 April 2014, Pages 9-12
نویسندگان
, , , , ,