کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8035149 | 1518047 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of Ge substrate orientation on crystalline structures of Ge1 â xSnx epitaxial layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Influence of Ge substrate orientation on crystalline structures of Ge1 â xSnx epitaxial layers Influence of Ge substrate orientation on crystalline structures of Ge1 â xSnx epitaxial layers](/preview/png/8035149.png)
چکیده انگلیسی
We have investigated the substrate orientation dependence of the crystallinity and strain relaxation behavior of Ge and Ge1 â xSnx layers epitaxially grown on Ge(001), (110), and (111) substrates. The strain relaxation in Ge1 â xSnx layers on Ge(110) and (111) occurs from a strain value smaller than that on Ge(001). We obtained the critical strain energy of a Ge1 â xSnx layer regardless of Ge substrate orientation. As a result, we achieved the epitaxial growth of pseudomorphic Ge1 â xSnx layers with high substitutional Sn contents of 8.5% and 6.7% on Ge(110) and (111) substrates, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 557, 30 April 2014, Pages 159-163
Journal: Thin Solid Films - Volume 557, 30 April 2014, Pages 159-163
نویسندگان
Takanori Asano, Shohei Kidowaki, Masashi Kurosawa, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima,