کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8035162 | 1518047 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reflection high energy electron diffraction studies on SixSnyGe1 â x â y on Si(100) molecular beam epitaxial growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Reflection high energy electron diffraction studies on SixSnyGe1 â x â y on Si(100) molecular beam epitaxial growth Reflection high energy electron diffraction studies on SixSnyGe1 â x â y on Si(100) molecular beam epitaxial growth](/preview/png/8035162.png)
چکیده انگلیسی
In situ reflection high energy electron diffraction was used to study the surface micromorphology of SixSnyGe1 â x â y / Si(100) heterostructures obtained by molecular beam epitaxy. The obtained reflection high energy electron diffraction data allowed us to conclude that the epitaxial SixSnyGe1 â x â y films are grown by the Stranski-Krastanov mechanism. It was established that SixSnyGe1 â x â y and Ge1 â zSnz wetting layer thicknesses depend on the substrate temperature. The observed surface superstructures changed during the wetting layer growth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 557, 30 April 2014, Pages 188-191
Journal: Thin Solid Films - Volume 557, 30 April 2014, Pages 188-191
نویسندگان
A.I. Nikiforov, V.I. Mashanov, V.A. Timofeev, O.P. Pchelyakov, H.-H. Cheng,