کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8035162 | 1518047 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reflection high energy electron diffraction studies on SixSnyGe1 â x â y on Si(100) molecular beam epitaxial growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In situ reflection high energy electron diffraction was used to study the surface micromorphology of SixSnyGe1 â x â y / Si(100) heterostructures obtained by molecular beam epitaxy. The obtained reflection high energy electron diffraction data allowed us to conclude that the epitaxial SixSnyGe1 â x â y films are grown by the Stranski-Krastanov mechanism. It was established that SixSnyGe1 â x â y and Ge1 â zSnz wetting layer thicknesses depend on the substrate temperature. The observed surface superstructures changed during the wetting layer growth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 557, 30 April 2014, Pages 188-191
Journal: Thin Solid Films - Volume 557, 30 April 2014, Pages 188-191
نویسندگان
A.I. Nikiforov, V.I. Mashanov, V.A. Timofeev, O.P. Pchelyakov, H.-H. Cheng,