کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8035169 | 1518048 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Graphene synthesis by laser-assisted chemical vapor deposition on Ni plate and the effect of process parameters on uniform graphene growth
ترجمه فارسی عنوان
سنتز گرافن توسط رسوب بخار شیمیایی با لیزر بر روی صفحه نیکل و اثر پارامترهای فرایند بر رشد گرافن یکنواخت
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
A fast, simple technique was developed to fabricate few-layer graphene films at ambient pressure and room temperature by laser-assisted chemical vapor deposition on polycrystalline Ni plates. Laser scanning speed was found as the most important factor in the production of few-layer graphene. The quality of graphene films was controlled by varying the laser power. Uniform graphene ribbons with a width of 1.5Â mm and a length of 16Â mm were obtained at a scanning speed of 1.3Â mm/s and a laser power of 600Â W. The developed technique provided a promising application of a high-power laser system to fabricate a graphene film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 556, 1 April 2014, Pages 206-210
Journal: Thin Solid Films - Volume 556, 1 April 2014, Pages 206-210
نویسندگان
Juan Jiang, Zhe Lin, Xiaohui Ye, Minlin Zhong, Ting Huang, Hongwei Zhu,