کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8035694 1518054 2014 41 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal annealing effect on ultraviolet-light-induced leakage current in low-pressure chemical vapor deposited silicon nitride films
ترجمه فارسی عنوان
اثر حرارتی بر روی جریان نشتی ناشی از نور ماوراء بنفش در فیلرهای نیترید سیلیکون سپرده شیمیایی کم فشار
کلمات کلیدی
نیترید سیلیکون، نور نور بیرونی، نقص پارامغناطیس، هدایت کنونی، حافظه نیمه هادی غیر مجاز، یکپارچه سازی مقیاس بزرگ،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
We report the effects of isothermal annealing on the current component, the paramagnetic K0 centers, and charge accumulation, induced by exposing silicon nitride films and silicon nitride-silicon dioxide double-layer films to 4.9-eV ultraviolet (UV) illumination. The UV-induced current component decayed as a result of the isothermal annealing at temperatures ranging from 27 °C to 240 °C, and was induced once again by UV exposure following the annealing. The density of the current component showed a close correlation with the density of the K0 centers. Based on detailed analysis, we show that electron-hole pair generation in the bulk of the silicon nitride film is the possible source of the UV-induced current component.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 550, 1 January 2014, Pages 545-553
نویسندگان
, , ,