کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8035841 | 1518058 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of GaN layer with preserved nano-columnar low temperature GaN buffer to reduce the wafer bowing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this study, a nano-columnar low-temperature (LT) GaN buffer was used to reduce the wafer bowing of a GaN layer grown on a sapphire substrate. A significant reduction in the extent of wafer bowing was observed for the GaN layer for the preserved nano-columnar LT GaN layer when compared with the conventional GaN layer. These results suggest that the preserved nano-columnar structure helped relax the GaN layer strain energy associated with thermal expansion mismatch. The flow of TMGa during the temperature ramp-up from LT to high-temperature was found to be an important process parameter to preserving the nano-columnar structure of LT GaN, resulting in less bowed GaN on sapphire.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 546, 1 November 2013, Pages 118-123
Journal: Thin Solid Films - Volume 546, 1 November 2013, Pages 118-123
نویسندگان
In-Su Shin, Donghyun Lee, Keon-Hoon Lee, Hyosang You, Dae Young Moon, Jinsub Park, Yasuishi Nanishi, Euijoon Yoon,