کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8036501 | 1518062 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Magnetoresistance and anomalous Hall effect of reactive sputtered polycrystalline Ti1 â xCrxN films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Magnetoresistance and anomalous Hall effect of reactive sputtered polycrystalline Ti1 â xCrxN films Magnetoresistance and anomalous Hall effect of reactive sputtered polycrystalline Ti1 â xCrxN films](/preview/png/8036501.png)
چکیده انگلیسی
The reactive-sputtered polycrystalline Ti1 â xCrxN films with 0.17 â¤Â x â¤Â 0.51 are ferromagnetic and at x = 0.47 the Curie temperature TC shows a maximum of ~ 120 K. The films are metallic at 0 â¤Â x â¤Â 0.47, while the films with x = 0.51 and 0.78 are semiconducting-like. The upturn of resistivity below 70 K observed in the films with 0.10 â¤Â x â¤Â 0.47 is from the effects of the electron-electron interaction and weak localization. The negative magnetoresistance (MR) of the films with 0.10 â¤Â x â¤Â 0.51 is dominated by the double-exchange interaction, while at x = 0.78, MR is related to the localized magnetic moment scattering at the grain boundaries. The scaling ÏxyA/n â Ïxx2.19 suggests that the anomalous Hall effect in the polycrystalline Ti1 â xCrxN films is scattering-independent.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 542, 2 September 2013, Pages 348-354
Journal: Thin Solid Films - Volume 542, 2 September 2013, Pages 348-354
نویسندگان
X.F. Duan, W.B. Mi, Z.B. Guo, H.L. Bai,