کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8036820 | 1518068 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Assisted cubic to hexagonal phase transition in GeSbTe thin films on silicon nitride
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Assisted cubic to hexagonal phase transition in GeSbTe thin films on silicon nitride Assisted cubic to hexagonal phase transition in GeSbTe thin films on silicon nitride](/preview/png/8036820.png)
چکیده انگلیسی
The amorphous to face-centered cubic (fcc) and fcc to hexagonal close-packed (hcp) crystallization temperatures of GeSbTe thin films on underlying silicon nitride and silicon dioxide films were studied through slow (1 K/min) resistance versus temperature measurements. The amorphous to fcc phase transition is observed at ~ 170 °C for both cases but the fcc to hcp phase transition temperature for GeSbTe films on silicon nitride is observed to be ~ 80 °C lower than for GeSbTe films on silicon dioxide, possibly due to the hexagonal symmetry of silicon nitride.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 536, 1 June 2013, Pages 216-219
Journal: Thin Solid Films - Volume 536, 1 June 2013, Pages 216-219
نویسندگان
K. Cil, Y. Zhu, J. Li, C.H. Lam, H. Silva,