کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8037146 | 1518073 | 2013 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of In implantation and annealing on the lattice disorder and nano-mechanical properties of GaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠In implanted GaN is studied by Raman spectroscopy, RBS and nano-indentation. ⺠Phonon coherence length decreases in accordance to hardness and elastic modulus. ⺠Elastoplastic behavior is observed at low and plastic at high fluences. ⺠Annealing is more effective at fluences that do not cause complete amorphization. ⺠At high fluences annealing results in redistribution of atomic species.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 152-159
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 152-159
نویسندگان
K. Filintoglou, P. Kavouras, M. Katsikini, J. Arvanitidis, D. Christofilos, S. Ves, E. Wendler, W. Wesch,