کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8037158 | 1518073 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Rapid thermal processing of Cu-rich (InGa)2Se3/CuSe bilayer precursors with an inset NaF layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Cu(InGa)Se2 can form using a bilayer (InGa)2Se3/CuSe precursor within 2-5 min. ⺠A thin NaF layer was inserted at the interface of (InGa)2Se3/CuSe precursors. ⺠MoSe2 thickness depends on the thickness of the NaF layer and the reaction time. ⺠Na doping resulted in increased (112) preferred orientation of the Cu(InGa)Se2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 233-237
Journal: Thin Solid Films - Volume 531, 15 March 2013, Pages 233-237
نویسندگان
Sung Cheol Kim, Jaseok Koo, Woo Kyoung Kim,