کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812238 | 1518109 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First principles total energy studies of the adsorption of germane on Ge(001)-c(2Â ÃÂ 4)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We perform first principles total energy calculations to study the energetics, and the atomic structure of the adsorption of germane (GeH4) molecules on the Ge(001)-c(2Â ÃÂ 4) surface. The adsorption of a GeH4 unit occurs after its dissociation into a germanium trihydride (GeH3) and a hydrogen atom and a subsequent decomposition into a germanium dihydride (GeH2) subunit and H atoms. Consequently, we first consider the adsorption of GeH2 in two different configurations; the on-dimer and the intra-row geometries. Similar to the adsorption of SiH2 and GeH2 on Si(001), it is found that the on-dimer site is more stable than the intra-row geometry by 0.13 eV. However, in the adsorption of a GeH2 fragment together with two H atoms we find that the intra-row geometry is energetically more favorable, again, similar to the adsorption of SiH2 and GeH2 (plus two H atoms) on the Si(001) surface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 490, Issue 2, 1 November 2005, Pages 196-200
Journal: Thin Solid Films - Volume 490, Issue 2, 1 November 2005, Pages 196-200
نویسندگان
Gregorio H. Cocoletzi, P.H. Hernández, Noboru Takeuchi,