کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812257 | 1518110 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of hydrogen incorporation in sol-gel derived aluminum doped ZnO thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The sol-gel derived aluminum doped ZnO thin films (ZnO : Al) are obtained on corning glass and Si (100) substrates by spin coating technique. As grown films, having optimum level of 0.8 at.% of aluminum doping, show highly preferential c-axis growth. The ZnO : Al films are baked in hydrogen ambient at 350 °C for 90 min. The effect on structural, electrical and optical properties of the films with hydrogen incorporation is investigated. The intensity of X-ray diffraction (002) peak, grain size and the conductivity are found to increase after the incorporation of hydrogen. Fourier Transform Infrared results indicate that hydrogen acts as shallow donor.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 489, Issues 1â2, 1 October 2005, Pages 94-98
Journal: Thin Solid Films - Volume 489, Issues 1â2, 1 October 2005, Pages 94-98
نویسندگان
Parmod Sagar, Manoj Kumar, R.M. Mehra,