کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812377 | 1518112 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystallization of silicon films by rapid joule heating method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the crystallization of silicon films by the joule heating method using Cr strip heater. We report on the lateral crystalline grain growth of silicon thin films by induced holes fabricated in Cr strip. A temperature gradient is generated by the holes, which causes lateral crystalline grain growth. The duration of the electrical current flow in the Cr strip heater is 5 μs. The crystallization experiment is evaluated by Raman scattering spectra in particular by analyzing the sharp crystalline TO phonon peak around 517 cmâ1.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 487, Issues 1â2, 1 September 2005, Pages 118-121
Journal: Thin Solid Films - Volume 487, Issues 1â2, 1 September 2005, Pages 118-121
نویسندگان
Nobuyuki Andoh, Toshiyuki Sameshima, Kuninori Kitahara,