کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812396 | 1518112 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal degradation of low temperature poly-Si TFT
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We analyzed the temperature distribution in low temperature poly-Si thin film transistors using infrared thermal imaging microscope, and discussed the thermal degradation by Joule heating. A non-uniform temperature distribution was observed in the saturation region along the gate length. Increase of temperature was remarkable for wide gate widths, which yielded large threshold voltage shifts. A universal relationship was obtained independent of the crystallinity of poly-Si films, which suggested that we should take into account the degradation of the gate oxide for example by electron trap generation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 487, Issues 1â2, 1 September 2005, Pages 216-220
Journal: Thin Solid Films - Volume 487, Issues 1â2, 1 September 2005, Pages 216-220
نویسندگان
Takashi Fuyuki, Koji Kitajima, Hiroshi Yano, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Shinichiro Hashimoto, Yukihiro Morita,